Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"S. Courtas"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 7:236-241
In this paper, we present an analysis of resistance change events that are occurring during the degradation of interconnects. The events analyzed are the following: 1) a step jump in resistance and 2) a subsequent progressive linear increase of resis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e52c1eb9b293eef2f71404dcfe29640e
https://doi.org/10.1109/tdmr.2007.901090
https://doi.org/10.1109/tdmr.2007.901090
Autor:
J.C. Dupuy, G. Bryce, Nicolas Gaillard, S. Chhun, J. Vitiello, V. Girault, M. Hopstaken, J. Guillan, Joaquim Torres, L.G. Gosset, B. Van Schravendijk, J. Michelon, Pascal Bancken, S. Courtas, R. Gras, Marc Juhel, L. Pinzelli, C. Debauche
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:2094-2100
Self-aligned barriers are widely investigated either in replacement of dielectric liners to decrease the total interconnect k value or as a treatment prior standard dielectric barrier deposition to improve reliability performances. In this paper, a t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a69f8a8c59131b6a249c8aad8379dfdd
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.09.013
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.09.013
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 46:1530-1535
Electron BackScattered Diffraction (EBSD) is a Scanning Electron Microscopy (SEM) based technique where diffraction patterns of backscattered electrons are collected on a screen and analyzed. This paper presents how EBSD provides quantitative and loc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b5d10f4fa197bcc242c8e239825f2df
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.07.031
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2006.07.031
Publikováno v:
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual.
We used the resistance increase of single via to determine the intrinsic degradation kinetics of via in the temperature range 175 to 325C. The evolution of resistance in time follows a parabolic regime up to 325C, with activation energy of 1.0eV. It
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6670271ae71981852bbc82569056273
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369990
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369990
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2005 International Interconnect Technology Conference, 2005..
Stress voiding (SV) in Cu vias and lines is investigated on 300 mm wafers after storage at temperatures ranging from 175/spl deg/C to 400/spl deg/C. Sensitivity to SV in lines decreases with metal pattern density. Microstructural analysis of Cu lines
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::297bcc161d0cfd07837d90a28322af4e
https://doi.org/10.1109/iitc.2005.1499915
https://doi.org/10.1109/iitc.2005.1499915
Autor:
F. Lorut, L.F.Tz. Kwakman, N. Bicais‐Lepinay, S. Courtas, R. Ross, D. Delille, M. de la Bardonnie, C. Wyon, C. Trouiller, Marc Juhel
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
To remain competitive IC manufacturers have to accelerate the development of most advanced (CMOS) technology and to deliver high yielding products with best cycle times and at a competitive pricing. With the increase of technology complexity, also th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef403fc33715cc075e2c19b1d227e0e9
https://doi.org/10.1063/1.2062938
https://doi.org/10.1063/1.2062938
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.