Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"S. Chongsawangvirod"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 138:308-313
A differential reflectance technique has been applied to study the etching of Silicon dioxide films on Silicon substrates in-situ in the liquid Hydrogen Fluoride/Water environment as well as ex-situ. Essentially, the technique scans an incident optic
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 137:3536-3541
Ellipsometry, although used extensively in the microelectronics field for the measurement of film thicknesses and refractive indices, does not usually yield reliable refractive indices for dielectric films less than 50 nm thick due to instrumental er
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 137:234-238
The ellipsometric measurement of refractive indices for films less than 50 nm thick is of dubious quality due to the significance of the size of random errors relative to the accuracy required to extract reliable index values from the measurements. I
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 61:1098-1100
From spectroscopic ellipsometry measurements in the 1.5–5.7 eV photon energy range we determined the complex dielectric function of thermally grown germanium dioxide in the 1.0–6.3 eV range. A Kramers–Kronig consistent dispersion formula utiliz
Autor:
S. Chongsawangvirod, E. A. Irene
Spectroscopic Differential Reflectometry, SDR, has been applied to study differences in silicon surfaces with different crystallographic orientations and with very thin films. The SDR technique measures the normalized difference in reflectance of two
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8f01f9d15f63b82b737b71614d050a22
Autor:
S. Chongsawangvirod, J. W. Andrews, T. M. Burns, Eugene A. Irene, S. Chevacharoeukul, G. E. McGuire
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 9:41
Differential reflectance (DR) spectroscopy has recently been reported to be effective in measuring the damage imparted to a Si surface by ion beams. Spectroscopic ellipsometry (SE) has been used extensively for this measurement. The present study com
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.