Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"S. Chikaki"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shuichi Saito, Y. Kawashima, S. Chikaki, R. Hayashi, N. Oda, T. Suzuki, T. Kubota, N. Nakamura, K. Tomioka, A Gawase, S. Nakao, E. Soda, J. Nogawa
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 57:2821-2830
The total performance of low-k/Cu interconnects featuring short turnaround-time (TAT) silylated scalable porous silica (Po-SiO, k = 2.1) with high porosity (50%) is demonstrated. The TAT for the film formation process including silylation treatment i
Autor:
Yasuhsia Kayaba, Yutaka Seino, Toshiyuki Ohdaira, Kazuo Kohmura, S. Chikaki, Hirofumi Tanaka, Takamaro Kikkawa
Publikováno v:
Thin Solid Films. 519:674-680
Effects of pore surface silylation and cesium doping on the siloxane bonding structure of mesoporous silica (MPS) film were analyzed using infrared spectroscopy. MPS film was derived by sol–gel method and self-assembling technology of non-ionic sur
Autor:
Toshiyuki Odaira, Hirofumi Tanaka, Fumitaka Nishiyama, Yutaka Seino, Yasuhisa Kayaba, Kazuo Kohmura, Takamaro Kikkawa, S. Chikaki, Keizo Kinoshita
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 155(11):G258-G264
A highly cross-linked porous silica dielectric (PoSiO) film was fabricated at a low temperature of 350°C. PoSiO films were derived by sol-gel method and their pore surface silanol groups were silylated with 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane (TMC
Autor:
T. Nakayama, N. Fujii, T. Yamanishi, Kazuo Kohmura, Takamaro Kikkawa, Hirofumi Tanaka, S. Chikaki, T. Ono
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:2142-2145
It is demonstrated that the NH"3 ashing followed by wet cleaning in carboxylic acid solution, IPA rinse and the TMCTS (1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane) vapor anneal is an effective process for the removal of etching/ashing residues from porous
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:2312-2318
A new cobalt (Co) salicide technology for sub-quarter micron CMOS transistors has been developed using high-temperature sputtering and in situ vacuum annealing. Sheet resistance of 11 /spl Omega///spl square/ for both gate electrode and diffusion lay
Publikováno v:
2011 International Reliability Physics Symposium.
Electrical reliability of self-assembled porous silica films was investigated. Vapor phase silylation by use of 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) was developed to reduce silanol groups and enhance siloxane cross-linkage, resulting in achi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.