Zobrazeno 1 - 10
of 93
pro vyhledávání: '"S. Chevtchenko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society. 53:1982-1986
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::564652e95d945795202b88a242915337
https://doi.org/10.3938/jkps.53.1982
https://doi.org/10.3938/jkps.53.1982
Autor:
Xianfeng Ni, S. Chevtchenko, Wolfgang J. Choyke, J. Nie, Hadis Morkoç, Robert P. Devaty, Ümit Özgür
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1273-1276
Planar m-plane GaN was grown on (1100) m-plane 6H-SiC substrates using high-temperature AlN nucleation layers by metalorganic chemical vapor deposition. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) images showed striated featu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be5213cbcf2d5276f607765f2b270d8b
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1273
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1273
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1529-1532
It is generally accepted that the Schottky barrier height (SBH) is affected by the initial band bending at the bare nGaN surface as well as by an additional contribution following metal deposition. In this work the effect of processing used for devic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5fe7c3b4f5f2887a7158fd4a225c98a
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1529
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1529
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1553-1556
We report on the fabrication and testing of GaN resistive gas sensors for hydrogen detection. The Si-doped n-type GaN was grown by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) on c-plane sapphire substrates. The device structure is simply a pair of met
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34ff5dd89bfd257e0cf988fd92ff0cf3
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1553
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1553
Autor:
S. Chevtchenko, Bill Nemeth, Henry O. Everitt, Hadis Morkoç, Xing Gu, Jeff Nause, S. J. Cho, Joshua Spradlin, Ümit Özgür, Fred H. Pollak
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 35:550-555
Thermal conductivities (κ) of melt-grown bulk ZnO samples thermally treated under different conditions were measured using scanning thermal microscopy. Samples annealed in air at 1050°C for 3 h and treated with N-plasma at 750°C for 1 min. exhibit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3919ec1c988d5d7f5ec4ff964cd84629
https://doi.org/10.1007/s11664-006-0098-9
https://doi.org/10.1007/s11664-006-0098-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
AlGaN/6H-SiC heterojunction bipolar transistors (HBTs) were fabricated, and the device performance as well as the electrical properties of the n-AlGaN/p-SiC heterojunction were studied by temperature dependent current-voltage characterization. Curren
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a2ef5e040dd9d947ed74989abbe9f63
https://doi.org/10.1117/12.763143
https://doi.org/10.1117/12.763143