Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"S. Chaouchi"'
Publikováno v:
Silicon.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 7, Iss 1, p 016426 (2020)
Laser-assisted diffusion of phosphorus dopants has been investigated to realize selective emitters on mc-Si wafers. In this paper, we studied, in the presence of PSG, the effect of laser speed and power doping parameters on the sheet resistance R _Sq
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a664480b52894b6bbd0daf6da3e44021
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Samir Meziani, A. Djelloul, Abderrahmane Moussi, S. Chaouchi, L. Benharrat, K. Bendimrad, Kamel Bourai, A. Noukaz
Publikováno v:
Materials Research Express. 7:016426
Laser-assisted diffusion of phosphorus dopants has been investigated to realize selective emitters on mc-Si wafers. In this paper, we studied, in the presence of PSG, the effect of laser speed and power doping parameters on the sheet resistance RSq v
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of New Technology and Materials. 4:103-105
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.