Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"S. Caracci"'
Publikováno v:
Polymer. 39:2765-2768
Optical thin films of three rod-like polymers, a rigid-rod polymer poly(p-phenylene benzobisthiazole) (PBZT), a diadamantane-substituted PBZT (DMT-PBZT) and a bicyclo[2.2.2]octane-substituted PBZT (BCO-PBZT), at different thicknesses were prepared wi
Publikováno v:
Journal of Applied Polymer Science. 61:1163-1171
An investigation was made of the optical and waveguiding properties of thin films fabricated from solutions of chitosan-acetic acid (chitosan/HAc) and chitosan/HAc doped with rare-earth metal ions (Er+++ or Nd+++). For all three films, the refractive
Autor:
Sean M. Garner, S. Caracci
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 14:1560-1562
A polymer thermooptic variable optical attenuator (VOA) was designed and demonstrated for dense waveguide device integration. The waveguide bend design is compatible with photolithography fabrication techniques and operates by controlling waveguide b
Autor:
S. Boor, K. C. Hsieh, A.A. Ketterson, Alfred Y. Cho, T. L. Brock, Seref Kalem, J. Laskar, S. Caracci, James Kolodzey, D. Sivco, Ilesanmi Adesida
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 19:249-252
We report on the electrical and microstructural properties of InP/GaxIn1-xAs/Al0.48In0.52As modulation doped layers having compositionally graded active channels with different channel thicknesses. The layers were grown by solid source molecular beam
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ilesanmi Adesida, W. H. Guggina, James Kolodzey, S. Caracci, J. Hughes, A.A. Ketterson, E. Andideh
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 8:1956
Selective reactive ion etching of GaAs over AlxGa1−xAs using SiF4/SiCl4 gas mixtures is studied. Etch rates of GaAs and AlxGa1−xAs are measured versus pressure, etch gas ratio, and plasma self‐bias voltage. A selectivity ratio of 500:1 has been
Autor:
S. Agarwala, S. Boor, James Kolodzey, K. C. Hsieh, A.A. Ketterson, A.Y. Cho, D. Sivco, J. Laskar, S. Caracci, Ilesanmi Adesida
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 8:360
We report comprehensive high‐frequency characteristics of pseudomorphic InAlAs/InGaAs/InP modulation doped field effect transistors having thick, dislocation‐free channels with an In mole fraction compositionally graded to x=0.65 at the heteroint
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.