Zobrazeno 1 - 10
of 220
pro vyhledávání: '"S. C. Oh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. H. Han, J. H. Lee, K. S. Suh, K. T. Nam, D. E. Jeong, S. C. Oh, S. H. Hwang, Y. Ji, K. Lee, Y. J. Song, Y. G. Hong, G. T. Jeong
Publikováno v:
IRPS
Owing to tunability of MTJ stack characteristics based on perpendicular magnetic anisotropy control via sophisticated magnetic material engineering, STT-MRAM can meet a wide range of product specifications for various applications: 1) flash-type appl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01a9adf5df25fd1b15900e52a601d8a0
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405094
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405094
Autor:
J.-H. Park, J. Lee, J. Jeong, U. Pi, W.K. Kim, S. Lee, E. Noh, K. Kim, W. C. Lim, S. Kwon, B.-J. Bae, I. Kim, N. Ji, K. Lee, H. Shin, S. H. Han, S. Hwang, D. Jeong, S. C. Oh, S. O. Park, Y. J. Song, G. T. Jeong, G. H. Koh, S. Hyun, K. Hwang, S. W. Nam, H. K. Kang, E. S. Jung
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrate a novel way of integrating STT-MRAM for on-chip hybrid memory which exhibits either features of high-retention or high-speed implemented in separate zones in a single chip. For satisfying high-temperature retention requirement, tailore
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6271124b06de756926a9c0fc804b518
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993614
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993614
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advances in Applied Ceramics. 113:328-333
Reaction sintered SiC ceramics were prepared by the silicon melt infiltration method over temperatures of 1450−1550°C. The effects of the carbon and silicon contents of the starting materials as well as the sintering temperature and time on the th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::94cf1cef5b3f93870f43d6f034f1a588
https://doi.org/10.1179/1743676114y.0000000168
https://doi.org/10.1179/1743676114y.0000000168
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.