Zobrazeno 1 - 10
of 140
pro vyhledávání: '"S. Brivio"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I.N. Antonov, A.I. Belov, C. Bonafos, S. Brivio, Laurent Cario, M. Carrada, Brigitte Caussat, Georgios Ch. Sirakoulis, Dennis Valbjørn Christensen, Elena Cianci, Benoit Corraze, V.A. Demin, P. Dimitrakis, A.V. Emelyanov, Manuel Escudero, Vincenzo Esposito, D.O. Filatov, Georgios Giannopoulos, O.N. Gorshkov, F. Gourbilleau, E.G. Gryaznov, D.V. Guseinov, Michael Hoffmann, Etienne Janod, Andreas Kaidatzis, L. Khomenkhova, D.S. Korolev, M.N. Koryazhkina, Yang Li, Qi Liu, Benjamin Max, A.N. Mikhaylov, Thomas Mikolajick, Halid Mulaosmanovic, Dimitris Niarchos, K.E. Nikiruy, P. Normand, E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.A. Pavlov, Nini Pryds, Krishnaswamy Ramkumar, Antonio Rubio, V.V. Rylkov, Simone Sanna, S. Schamm-Chardon, Uwe Schroeder, M.E. Shenina, R.A. Shuisky, K.V. Sidorenko, A. Slaoui, Stefan Slesazeck, B. Spagnolo, Sabina Spiga, E. Talbot, Stefan Tappertzhofen, D.I. Tetelbaum, S.V. Tikhov, Julien Tranchant, Constantin Vahlas, E. Vianello, Ioannis Vourkas, Xiaolong Zhao
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6c5caf76373ac55685791efd20e3e43
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-814629-3.09989-x
https://doi.org/10.1016/b978-0-12-814629-3.09989-x
Publikováno v:
Neuromorphic Computing and Engineering. 2:042001
HfO2-based resistive switching memory (RRAM) combines several outstanding properties, such as high scalability, fast switching speed, low power, compatibility with complementary metal-oxide-semiconductor technology, with possible high-density or thre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::04925fe92c88e9a6ee749faeedf7f07b
https://doi.org/10.1088/2634-4386/ac9012
https://doi.org/10.1088/2634-4386/ac9012
Publikováno v:
Neuromorphic Computing and Engineering. 2:021003
Resistive random access memories (RRAMs) constitute a class of memristive devices particularly appealing for bio-inspired computing schemes. In particular, the possibility of achieving analog control of the electrical conductivity of RRAM devices can
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac2738002cb68b4d9476637df11b4326
https://doi.org/10.1088/2634-4386/ac7327
https://doi.org/10.1088/2634-4386/ac7327
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.