Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"S. Bouzid-Driad"'
Autor:
R. Ouhachi, A. Agboton, P. Altuntas, J.C. De Jaeger, Adrien Cutivet, M. Renvoise, Hassan Maher, P. Frijlink, V. Avramovic, S. Bouzid-Driad, Nicolas Defrance
Publikováno v:
43rd Conference on European Solid-State Device Research
43rd Conference on European Solid-State Device Research, Sep 2013, Bucharest, Romania
ESSDERC
43rd Conference on European Solid-State Device Research, Sep 2013, Bucharest, Romania
ESSDERC
International audience; A delay time analysis is carried out for SiN-passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on silicon substrate featuring gate length of 90 nm. The influence of high parasitics in the access pads is considere
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4d845b834dd0528d855ac03b482b5e06
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03285110
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03285110
Autor:
J.C. De Jaeger, Hassan Maher, Virginie Hoel, Nicolas Defrance, M. Renvoise, P. Frijlink, S. Bouzid-Driad
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
This letter reports on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) on high-resistive silicon substrate with a record maximum oscillation cutoff frequency FMAX. Double-T-shaped gates are associated with an optimized technology to enable high-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fb44032c36edc5bf224032204a40f599
https://hal.science/hal-00796433
https://hal.science/hal-00796433
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.