Zobrazeno 1 - 10
of 181
pro vyhledávání: '"S. Bollaert"'
Publikováno v:
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Aug 2022, Delft, Netherlands. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz50927.2022.9895722⟩
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Aug 2022, Delft, Netherlands. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz50927.2022.9895722⟩
International audience; We investigate the development of on-wafer multiline Thru-Reflect-Line calibration kits to enable transistor characterization beyond 110 GHz. The final objective is to measure the S parameters of a HEMT having a very high cut-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4303fed1f186f6761135ddf94b5cd981
https://hal.science/hal-03794291
https://hal.science/hal-03794291
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9789811314049
Our work is used to investigate the electrical proprieties of III-V MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) from an InP/InAs/InGaAs structure. This simulation is done using Silvaco TCAD tools. We solve the coupled Poisson-Schroding
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::522dd9a83134901c68ec445765edab59
https://doi.org/10.1007/978-981-13-1405-6_25
https://doi.org/10.1007/978-981-13-1405-6_25
Autor:
M. Sakowicz, J. Łusakowski, K. Karpierz, M. Grynberg, W. Gwarek, S. Boubanga, D. Coquillat, W. Knap, A. Shchepetov, S. Bollaert, Marília Caldas, Nelson Studart
Publikováno v:
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS
29th International Conference on Physics of Semiconductors Rio de Janeiro, BRAZIL
29th International Conference on Physics of Semiconductors Rio de Janeiro, BRAZIL, Jul 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503
American Institute of Physics Conference Proceedings, 1199
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29, 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503-504, ⟨10.1063/1.3295528⟩
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29, Jul 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503-504, ⟨10.1063/1.3295528⟩
29th International Conference on Physics of Semiconductors Rio de Janeiro, BRAZIL
29th International Conference on Physics of Semiconductors Rio de Janeiro, BRAZIL, Jul 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503
American Institute of Physics Conference Proceedings, 1199
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29, 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503-504, ⟨10.1063/1.3295528⟩
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29, Jul 2008, Rio de Janeiro, Brazil. pp.503-504, ⟨10.1063/1.3295528⟩
International audience; The experiments on radiation coupling to field effect transistors working as terahertz radiation detectors are reported. Two types of high electron mobility transistors: InGaAs/InAlAs and GaAs/AlGaAs, with different layout geo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 21st Annual. Technical Digest 1999 (Cat. No.99CH36369).
Metamorphic HEMTs are attractive candidates for microwave and mm-wave low noise and power applications. Using the metamorphic concept, high quality relaxed heterostructures with arbitrary chosen In content can be grown. Metamorphic discrete HEMTs and
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
21st European Microwave Conference, 1991.
The field of applications of tunable microwave oscillators is now growing up : local oscillators, Doppler radars, microwave sources for LAN... These applications require an important frequency stability. We describe hereafter such an oscillator which
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Jun2007, Vol. 22 Issue 6, p663-670, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.