Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"S. Boffoli"'
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 13:185-191
In this paper, the device degradation enhanced by localized drain self-heating (LDSH) effects at VGS = VDS bias condition has been measured and characterized in the pMOSFET transistors of an advanced CMOS HKMG 28-nm bulk technology in both dc (consta
Autor:
Fernando Guarin, H. Kothari, W. Liu, G. La Rosa, Vijay Narayanan, William McMahon, Minjung Jin, Suresh Uppal, S. Boffoli, W. Lai, C. E. Tian
Publikováno v:
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium.
It is well known that n-MOSFET aging under AC and DC Positive Bias Temperature Instability (PBTI) is strongly dependent on the adopted HK stack processes. In this work it is reported, for the first time, a detailed analysis of the nature of the PBTI
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.