Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"S. Bilge Ocak"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 568:31-35
Frequency dependent dielectric properties of zinc oxide (ZnO) based metal-insulator-semiconductor (MIS) structure were analyzed in a wide frequency range. The ZnO thin layer on p-type silicon (100) was prepared by using atomic layer deposition (ALD).
Publikováno v:
Materials Science-Poland, Vol 35, Iss 4, Pp 885-892 (2018)
Selçuk, Ahmet Hakan (Balikesir Author)
The voltage and frequency dependence of dielectric constant epsilon', dielectric loss epsilon", electrical modulus M", M', loss tangent tan delta and AC electrical conductivity sigma(AC) of p-Si/ZnO/PMMA/A
The voltage and frequency dependence of dielectric constant epsilon', dielectric loss epsilon", electrical modulus M", M', loss tangent tan delta and AC electrical conductivity sigma(AC) of p-Si/ZnO/PMMA/A
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 245:122708
Dielectric characteristics and electrical conductivity of coronene (C24H12) based metal-polymer-semiconductor (MPS) structure were studied. Cleaning procedure was used to remove all foreign matter from surface of silicon wafer. Al/C24H12/p-Si structu
In this study, low-frequency-dependent characteristics of Al/Maleic Anhydride (MA)/p-Si organic Schottky barrier diode have been investigated. Maleic Anhydride (MA) has been successfully coated on p type-Si substrate with 280 m thickness and 10 ohm.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05fe17a9fced21cfd9a92e5cb073db15
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/1deeed6a-4d75-4494-bda0-34542797c883/oai
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/1deeed6a-4d75-4494-bda0-34542797c883/oai