Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"S. Bigliardi"'
Autor:
A. Castellino, C. Castellino, C. Boccomini, M. Clerico, P. Nicoli, A. Vanazzi, F. Fanelli, T. Perrone, F. Marchesi, F. Cocito, M. Merli, S. Bigliardi, B. Mecacci, V. Bozzoli, G. Margiotta-Casaluci, E. Meli, A. Anastasia, L. Farina, O. Annibali, D. Gottardi, M. Zanni, A. Conconi, C. Ciochetto, N. Cenfra, F. Rotondo, S. Ratotti, A. Cuneo, C. Selleri, S. Galimberti, M. Massaia
Publikováno v:
HemaSphere, Vol 6, Pp 988-989 (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/783bc8f95a40457e9bcec404158493f5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 142:K107-K111
Autor:
Manfredo Manfredi, D.C. Streit, Claudio Canali, C. Tedesco, S. Bigliardi, W.T. Anderson, Enrico Zanoni
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:1211-1214
Impact ionization and light emission have been studied in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs characterized by delta doping in the undoped AlGaAs layer and by additional planar doping within the InGaAs channel, and suitable for high-power applications.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:577-582
Spectrally resolved absolute measurements of hot-carrier-induced photon emission in silicon are reported. In order to avoid uncertainties in geometrical and physical parameters, the simplest conceivable device, an avalanching p-n junction, was used.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 19:747-750
In this paper we report the first experimental data on hot carrier luminescence in silicon p-channel MOS transistors featuring sub-micron gate length. All the terminal currents of the devices (including the gate and substrate currents) were also meas