Zobrazeno 1 - 10
of 100
pro vyhledávání: '"S. Berberich"'
Autor:
M. C. Eppes, A. Rinehart, J. Aldred, S. Berberich, M. P. Dahlquist, S. G. Evans, R. Keanini, S. E. Laubach, F. Moser, M. Morovati, S. Porson, M. Rasmussen, U. Shaanan
Publikováno v:
Earth Surface Dynamics, Vol 12, Pp 35-66 (2024)
Rock fractures are a key contributor to a broad array of Earth surface processes due to their direct control on rock strength as well as rock porosity and permeability. However, to date, there has been no standardization for the quantification of roc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/be8a4cf090944161b7c02bf66416acf4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :919-924
Of all the wide bandgap semiconductors, SiC is currently the most attractive material for aerospace applications. It offers significant advantages at high temperatures and high voltage levels while benefiting from an excellent thermal conductivity, t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18db40649823baa912813184d7fb6b80
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.919
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.919
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 41:1015-1018
The work provides experimental results of high energy electron irradiation effects on silicon dioxide used for power MOS devices. A systematic increase of the threshold voltage has been observed in irradiated IGBT and VDMOS devices processed on Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aaaae071fa28517d5a44dcb54ac55350
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00060-9
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00060-9
Autor:
A. Senes, José Millan, Hans L. Hartnagel, S. Berberich, Phillippe Godignon, Dominique Planson
Publikováno v:
Materials Science Forum. :881-884
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f186b7d1811697e64334bc3de4ff04b3
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.881
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.881
Autor:
M.T. Clavaguera-Mora, S. Berberich, J. Stoemenos, Z. El Felk, Narcis Clavaguera, E. Hurtós, Javier Rodríguez-Viejo
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
This paper reports the results of a systematic study of the influence of deposition conditions on the morphology of films grown using a tetramethylsilane Si(CH3)4 precursor in a hot-wall, low pressure, chemical vapor deposition system at the temperat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ba512a1c8e0e4053cd81944b44420922
https://doi.org/10.1016/s0925-9635(97)00084-8
https://doi.org/10.1016/s0925-9635(97)00084-8
Autor:
Phillippe Godignon, S. Berberich, José Millan, Jose Rebollo, Juan A. Fernández, Gheorghe Brezeanu
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 39:1359-1364
This paper presents the high frequency electrical characteristics and modelling of Al/SiO 2 / p -type 6HSiC structures. The oxide was thermally grown under dry conditions. Capacitance and conductance vs bias and frequency measurements have been pe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::129e098ce3753071a24735ef871fa430
https://doi.org/10.1016/0038-1101(96)00038-x
https://doi.org/10.1016/0038-1101(96)00038-x
Autor:
J. Millán, M. T. Clavaguera-Mora, Z. Ei Felk, S. Berberich, J. Rodrŕguez-Viejo, G. Arnaud, N. Clavaguera, J. Camassel, J. Pascual
Publikováno v:
Materials Science and Technology. 12:98-102
The growth of polycrystalline SiC films has been carried out by low pressure chemical vapour deposition in a horizontal quartz reaction chamber using tetramethylsilane and H2 as the precursor gas mixture. Silicon (100) wafers were used as substrates.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a38fb32a9e1bc3d4f0255aba6691bd76
https://doi.org/10.1179/mst.1996.12.1.98
https://doi.org/10.1179/mst.1996.12.1.98