Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"S. Beckx"'
Autor:
Guy Vereecke, Frank Holsteyns, Sophia Arnauts, S. Beckx, P. Jaenen, Karine Kenis, M. Lismont, Marcel Lux, Rita Vos, James Snow, Paul W. Mertens
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73b55f7ef039125c3924af306c059c16
https://doi.org/10.4028/3-908451-06-x.141
https://doi.org/10.4028/3-908451-06-x.141
Autor:
M. Claes, Vasile Paraschiv, S. Beckx, M. Demand, W. Deweerd, Sylvain Garaud, H. Kraus, Rita Vos, James Snow, Werner Boullart, Stefan De Gendt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65b09ceaf4ddce363638c3d170751362
https://doi.org/10.4028/3-908451-06-x.93
https://doi.org/10.4028/3-908451-06-x.93
Publikováno v:
2nd International Symposium on Plasma Process-Induced Damage.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cee0808dc002e0cfb0d70d3b20d079e0
https://doi.org/10.1109/ppid.1997.596753
https://doi.org/10.1109/ppid.1997.596753
Publikováno v:
Electrochemical and Solid-State Letters. 9:G272
The etch properties of physical vapor deposited TaN used as a metal gate electrode have been found to be dependent on its crystalline microstructure. As found by X-ray diffraction, the initially amorphous TaN crystallizes at temperatures above 500°C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36775fdcb88357870710e03cfa35a661
https://doi.org/10.1149/1.2208010
https://doi.org/10.1149/1.2208010
Autor:
B. Luyssaert, P. Vandersteegen, D. Taillaert, P. Dumon, W. Bogaerts, P. Bienstman, D. Van Thourhout, V. Wiaux, S. Beckx, R. Baets
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; Jan2005, Vol. 17 Issue 1, p73-75, 3p
Autor:
P. Sanchis, J. Garcia, J. Marti, W. Bogaerts, P. Dumon, D. Taillaert, R. Baets, V. Wiaux, J. Wouters, S. Beckx
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; Oct2004, Vol. 16 Issue 10, p2272-2274, 3p
Autor:
P. Dumon, W. Bogaerts, V. Wiaux, J. Wouters, S. Beckx, J. Van Campenhout, D. Taillaert, B. Luyssaert, P. Bienstman, D. Van Thourhout, R. Baets
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; May2004, Vol. 16 Issue 5, p1328-1330, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.