Zobrazeno 1 - 10
of 314
pro vyhledávání: '"S. Baishya"'
Publikováno v:
International Journal of Infectious Diseases, Vol 101, Iss , Pp 36-37 (2020)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/530dfc210a7a4d5ea769f1a53230f608
Publikováno v:
Advances in Materials Science and Engineering, Vol 2014 (2014)
A thickness-dependent interfacial distribution of oxide charges for thin metal oxide semiconductor (MOS) structures using high-k materials ZrO2 and HfO2 has been methodically investigated. The interface charge densities are analyzed using capacitance
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/894c4359621d43e18834d5174909395a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael Lalruatfela, Himeli Chakrabarti, Reshmi Maity, Achinta Baidya, S. Baishya, N. P. Maity
Publikováno v:
Silicon. 14:11363-11370
Publikováno v:
Silicon. 14:9763-9772
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Baruah, S. Baishya
Publikováno v:
Emerging Low-Power Semiconductor Devices ISBN: 9781003240778
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78aabc635de5d2f22b543023ab82983f
https://doi.org/10.1201/9781003240778-4
https://doi.org/10.1201/9781003240778-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.