Zobrazeno 1 - 10
of 536
pro vyhledávání: '"S. Augustine"'
Autor:
J. van der Molen, J. van Beek, S. Augustine, L. Vansteenbrugge, L. van Walraven, V. Langenberg, H. W. van der Veer, K. Hostens, S. Pitois, J. Robbens
Publikováno v:
Ocean Science, Vol 11, Iss 3, Pp 405-424 (2015)
Three different models were applied to study the reproduction, survival and dispersal of Mnemiopsis leidyi in the Scheldt estuaries and the southern North Sea: a high-resolution particle tracking model with passive particles, a low-resolution particl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/20fa3209535542259a4c0666187dd409
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lyndsey R Buckner, Erma Z Drobnis, Molly S Augustine, Lynette K Rogers, Jill Akers, Patricia D Mott, Thomas J Hope, Alison J Quayle, Danny J Schust
Publikováno v:
PLoS ONE, Vol 14, Iss 5, p e0214152 (2019)
Progestin-only long-acting reversible contraceptives (LARCs) are increasingly popular among women seeking contraception; however, recent epidemiological studies suggest that systemically administered medroxyprogesterone acetate (MPA) may increase HIV
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd0231c3e99b4eada9a9b78bd4aca0c7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. S. Augustine Fletcher, D. Nirmal, L. Arivazhagan, J. Ajayan, Merlin Gilbert Raj, K. Husna Hamza, P. Murugapandiyan, Ramkumar Natarajan
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 51:1215-1225
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19a05cd355076e3f804973ef5f85d6c0
https://doi.org/10.1007/s11664-021-09367-9
https://doi.org/10.1007/s11664-021-09367-9
Autor:
K. Husna Hamza, L. Arivazhagan, P. Murugapandiyan, A. S. Augustine Fletcher, D. Nirmal, J. Ajayan
Publikováno v:
Silicon. 14:5941-5949
The influence of double deck T-gate on LG=0.2 μm AlN/GaN/AlGaN HEMT is analysed in this paper. The T-gate supported with Silicon Nitride provides a tremendous mechanical reliability. It drops off the crest electric-field at gate edges and postponing
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4596119d0feff7d0a7d2553212922f8
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01367-y
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01367-y
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.