Zobrazeno 1 - 10
of 200
pro vyhledávání: '"S. Asmontas"'
Autor:
V.G. Lytovchenko, T.I. Gorbanyuk, V.P. Kladko, A.V. Sarikov, N.V. Safriuk, L.L. Fedorenko, S. Ašmontas, J. Gradauskas, E. Širmulis, O. Žalys
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 4, Pp 385-395 (2017)
Review of original results concerning electrochemical formation of porous Si layers and investigation of properties inherent to the formed layers has been presented. The results related with observation of changes in pores’ morphology depending on
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/589c57f8746f458c846b91bac8651926
Autor:
S Asmontas, J Gradauskas, A Griguceviciene, K Leinartas, A Lucun, M Mujahid, K Petrauskas, A Selskis, A Suziedelis, A Silenas, E Sirmulis
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physical Optics. 23:193-200
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Asmontas, P. Shiktorov, E. Starikov, V. Gružinskis, L. Varani, G. Sabatini, H. Marinchio, J. Torres, Marília Caldas, Nelson Studart
Publikováno v:
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2011, Rio de Janeiro, Brazil. pp.211-212, ⟨10.1063/1.3295373⟩
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 29th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2011, Rio de Janeiro, Brazil. pp.211-212, ⟨10.1063/1.3295373⟩
Results of hydrodynamic simulation of HEMT performance under photo‐mixing excitation of free carriers in the conducting channel are presented. A resonant enhancement of current amplitudes at the beating frequency due to excitation of 2D plasma wave
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76b45c04089c5135ba9227f988e0a8a4
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02443140
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02443140
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.