Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"S. Ammi"'
Autor:
Cinthya Corrêa Silva, Heliz Regina A. Neves, Anderson João Simione, Paula Moreira da Silva, Bruna Letícia da Silva Santos Geraldo, Marcelo C Pasquini, Monique S Ammi, Fernando Barroso Duarte, Adriana Seber, Afonso Celso Vigorito, Vergilio A.R. Colturato Sr., Carmem Bonfim, Mary E.D. Flowers, Ricardo Pasquini, Nelson Hamerschlak
Publikováno v:
Transplantation and Cellular Therapy. 28:S454-S455
Autor:
P. Prieur, M. Rousseau, A. Holande, Gervaise Moine, S. Ammi, S. Pasquier-Tilliette, S. Heurtault, Florence Lequien, Q. Auzoux
Publikováno v:
Engineering Failure Analysis
Engineering Failure Analysis, 2021, 120, pp.105039. ⟨10.1016/j.engfailanal.2020.105039⟩
Engineering Failure Analysis, Elsevier, 2021, 120, pp.105039-. ⟨10.1016/j.engfailanal.2020.105039⟩
Engineering Failure Analysis, 2021, 120, pp.105039. ⟨10.1016/j.engfailanal.2020.105039⟩
Engineering Failure Analysis, Elsevier, 2021, 120, pp.105039-. ⟨10.1016/j.engfailanal.2020.105039⟩
International audience; An aluminum conductor steel reinforced (ACSR) extracted from an overhead power line operated in Northern France during more than 60 years was characterized together with a more recent equivalent conductor. Visual inspection, l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::01e03346a07df61db7a0035b86af5901
https://hal.science/hal-03493940/file/S1350630720315636.pdf
https://hal.science/hal-03493940/file/S1350630720315636.pdf
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9789811562587
In this work, we have to study the impact of InGaAs thickness and Indium content on the performance of (InP/InGaAs/InAlAs) MOSFET structure. For this purpose, we have to solve the self-consistent of Poisson and Schrodinger equations that give the car
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8884a3123bd385fcbeb9a46b0ffe6f89
https://doi.org/10.1007/978-981-15-6259-4_37
https://doi.org/10.1007/978-981-15-6259-4_37
Publikováno v:
Lecture Notes in Electrical Engineering ISBN: 9789811314049
Our work is used to investigate the electrical proprieties of III-V MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) from an InP/InAs/InGaAs structure. This simulation is done using Silvaco TCAD tools. We solve the coupled Poisson-Schroding
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::522dd9a83134901c68ec445765edab59
https://doi.org/10.1007/978-981-13-1405-6_25
https://doi.org/10.1007/978-981-13-1405-6_25
Autor:
P. Hondaa, Jerome Castellon, D. Le Roux, Serge Agnel, P Egrot, S. Ammi, A. Hascoat, W. Frelin
Publikováno v:
2014 IEEE Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena-(CEIDP 2014)
2014 IEEE Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena-(CEIDP 2014), Oct 2014, Des Moines, France. ⟨10.1109/CEIDP.2014.6995877⟩
2014 IEEE Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena-(CEIDP 2014), Oct 2014, Des Moines, France. ⟨10.1109/CEIDP.2014.6995877⟩
International audience
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.