Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"S. Ajuria"'
Autor:
D. Hughes, M. Racanelli, P.K. Ko, B.Y. Hwang, W.M. Huang, Chenming Hu, S. Ajuria, Z.J. Ma, G. Huffman, T.P. Ong
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
Gate oxide quality for sub-0.5 /spl mu/m applications on Thin-Film-Silicon-On-Insulator (TFSOI) substrates is described. Intrinsic thermal oxide properties such as I-V, Q/sub BD/ and charge trapping rates, as well as device effective mobilities, of T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01cb278dfb47a7cd6cfc89ba16b9acaa
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347208
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347208
Autor:
Y.-C. Ku, S.D. Hayden, K. Mocala, F J W Miller, M. Blackwell, C.K. Subramanian, W. Waldo, S. Ajuria, Matthew A. Thompson, J.R. Pfiester, B.M. James, B. Martino, H.-J. Lin
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting.
A 0.25 /spl mu/m CMOS technology designed for a new symmetric Vss Cross-Under (XUnder) bitcell has been developed for a 64 Mb SRAM. The new symmetric bitcell is based on a simple geometry of orthogonal active and gate poly features which minimizes th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b898697baf8bd30c2b5613524a09918d
https://doi.org/10.1109/iedm.1994.383333
https://doi.org/10.1109/iedm.1994.383333
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting.
Vertical NMOSFETs with /spl sim/0.3 /spl mu/m channel lengths and 105 /spl Aring/ gate oxide providing current drives of 445 (/spl mu/A/spl mu/m) for V/sub G/=4, V/sub D/=3.3 V, with well controlled short channel (DIBL=44 mV/V) and sub-threshold beha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::72f1961f68c5d88ce924408348b2d9e9
https://doi.org/10.1109/iedm.1994.383279
https://doi.org/10.1109/iedm.1994.383279
Autor:
T.F. McNelly, M. Blackwell, Jung-Hui Lin, Matthew A. Thompson, F. Nkansah, C. Philbin, Asanga H. Perera, James R. Pfiester, W. Fell, T. Lii, James D. Hayden, Y.-C. Ku, C.K. Subramanian, C.J. Sun, S. Ajuria, Michael P. Woo, B.M. James
Publikováno v:
Proceedings of International Electron Devices Meeting.
A high performance 0.25 /spl mu/m CMOS process has been developed for fast static RAMs, featuring retrograde wells, shallow trench isolation with 0.55 /spl mu/m active pitch, a 55 /spl Aring/ nitrided gate oxide, 0.25 /spl mu/m polycide gate surface
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cada97a53561d14e3b1deb3afd049c45
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499368
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499368
Publikováno v:
Journal of Materials Research. 3:1196-1200
The crystallization kinetics of thin (35 and 60 nm) amorphous as-deposited Ge films were studied using diffraction limited laser beam irradiation and laser pulses between 30 ns and 1 ms. The recrystallization of crystalline as-deposited films was als
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dadb49d3e4dd445d2686e756376c1ad
https://doi.org/10.1557/jmr.1988.1196
https://doi.org/10.1557/jmr.1988.1196
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.