Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"S. Aizaki"'
Autor:
S. Ideta, Priya Mahadevan, Makoto Minohara, Koji Horiba, A. Fujimori, Masaru Takizawa, T. Yoshida, Hiroshi Kumigashira, S. Aizaki, K. Yoshimatsu, Kapil Gupta, M. Oshima
The correlated electronic structure of ${\mathrm{SrVO}}_{3}$ has been investigated by angle-resolved photoemission spectroscopy using in situ prepared thin films. Pronounced features of band renormalization have been observed: a sharp kink $\ensurema
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::80197f3e33f7b7f1fb587016d1c88ba3
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100653964
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100653964
Autor:
Kohei Yoshimatsu, T. H. Okabe, S. Aizaki, A. Fujimori, Satoshi Okamoto, Hiroshi Kumigashira, Masaharu Oshima
Publikováno v:
Physical Review Letters. 104
We have investigated the changes occurring in the electronic structure of digitally controlled SrVO(3) ultrathin films across the metal-insulator transition (MIT) by the film thickness using in situ photoemission spectroscopy. With decreasing film th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78f61b2d0457540276cfac86392e9df4
https://doi.org/10.1103/physrevlett.104.147601
https://doi.org/10.1103/physrevlett.104.147601
Autor:
A. Aizaki, S. Aizaki, O. Kudoh, K. Abe, M. Ohkawa, Y. Okuyama, T. Shimizu, M. Ando, I. Sasaki
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25:1063-1067
A 4-Mb SRAM with 15-ns access time and selectable (*4/*1) bit organization based on a 0.55- mu m triple-polysilicon double-metal CMOS technology is discussed. To achieve 15-ns access time, a sense amplifier with input-controlled PMOS loads (ICPLs), Y
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5418e590d5d2929aedf487b97221df61
https://doi.org/10.1109/4.62125
https://doi.org/10.1109/4.62125
Autor:
S. Aizaki, M. Ohkawa, A. Aizaki, Y. Okuyama, I. Sasaki, T. Shimizu, K. Abe, M. Ando, O. Kudoh
Publikováno v:
1990 37th IEEE International Conference on Solid-State Circuits.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f455424211aa59140cdbe80974e00717
https://doi.org/10.1109/isscc.1990.110159
https://doi.org/10.1109/isscc.1990.110159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.