Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"S. Acerboni"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Gynecologic Oncology. 61:156-160
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 76:2703-2710
The interaction of dislocations with light elements like oxygen and carbon presents a variety of aspects which are of basic interest for the understanding of gettering processes, as well as for a deeper knowledge of the electrical and optical propert
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 24:159-166
We report in this paper an extensive discussion concerning the electronic structure of silicon grain boundaries as can be deduced from a combined analysis of the results of light beam injection and d.c. polarization techniques. A major emphasis is gi
Autor:
Simona Binetti, Sergio Pizzini, Maurizio Acciarri, Roberto Canteri, Sandro Ferrari, S. Acerboni
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :181-190
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 138:451-464
The features of the interactions between oxygen, carbon, and extended defects in single crystal and polycrystalline silicon are discussed within a model which assumes that point defects mediate the oxygen and carbon segregation. It is demonstrated th
Autor:
S. Acerboni, M. Bosetti, G. Terzi, Sergio Pizzini, Simona Binetti, S. Ferrari, Maurizio Acciarri, M. Rattaggi, G.P. Rancoita
Publikováno v:
Nuclear Physics B - Proceedings Supplements. 32:410-414
The result of a study about the effects of radiation damage on silicon detectors, carried out using the LBIC (light beam induced current) technique are thoroughly reported. As this technique is capable to detect any change in the minority carriers di
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Acerboni
Publisher Summary The chapter offers information on epitaxy on patterned wafers. Epitaxy on bare single-crystal wafers is a glamourous process, but epi on complicated structures, such as a patterned, multi-implanted wafer, is a real challenge for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4f8302de67c874dadf0f838a9c1874b
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(01)80187-3
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(01)80187-3