Zobrazeno 1 - 10
of 102
pro vyhledávání: '"S-I. Kuroki"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Inoue, J., S.-I., Kuroki, Ishikawa, S., Maeda, T., Sezaki, H., Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, M., Östling, C.-M., Zetterling
Publikováno v:
Materials Science Forum. 963:837-840
Low-parasitic-capacitance 4H-SiC pMOSFETs were demonstrated for high-frequency CMOS inverters. In these pMOSFETs, device characteristics including parasitic capacitances were investigated and low parasitic capacitance was achieved by the trench gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::fbbf368c993ca762e8639d54cca5fb98
https://repo.qst.go.jp/records/76555
https://repo.qst.go.jp/records/76555
Autor:
Tatsuya Kurose, H. Nagatsuma, Mikael Östling, Carl-Mikael Zetterling, Hiroshi Sezaki, Takeshi Ohshima, S-I. Kuroki, Takamaro Kikkawa, Takahiro Makino, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda
Publikováno v:
Materials Science Forum. 897:669-672
Summary form only given. The complete presentation was not made available for publication as part of the conference proceedings. For logic gate with higher voltage swing, 4H-SiC pseudo-CMOS logic inverter with four nMOS was suggested and demonstrated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4acbef317369ed0959b27607ee4a1491
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.669
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.669
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Kawase, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Yugo Tomita, Xun Gu, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, S-I Kuroki, Takenao Nemoto
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 59:1445-1453
An integration of an organic nonporous ultralow-k dielectric fluorocarbon (k = 2.2) deposited by microwave-excited plasma-enhanced CVD into Cu single damascene interconnects is developed in this paper. The changing of the chemical structure of the fl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48a62b61ce493cc2a0258e21cb2fdeec
https://doi.org/10.1109/ted.2012.2187659
https://doi.org/10.1109/ted.2012.2187659