Zobrazeno 1 - 10
of 319
pro vyhledávání: '"S Z He"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 89-95 (2021)
The ESD effects on the E-mode AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) with p-GaN gate are investigated under repetitive TLP pulses. Firstly, the degradation and recovery of output, transfer characteristics, gate-leakage characteristics a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1993ad0d1e754c7fb7bb79a994f0335b
Autor:
J M, Chen, J G, Fang, Q, Zhong, L Z, Hou, H Z, Ma, L, Feng, S Z, He, Q, Shi, M, Lian, R, Wang, X X, Shen
Publikováno v:
Zhonghua yi xue za zhi. 102(48)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::d96d01c3b75bf7ce1cd7e0d4f3ef1bec
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36540925
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36540925
Publikováno v:
Zhonghua er ke za zhi = Chinese journal of pediatrics. 60(10)
1例主诉为“反复咳嗽伴痰鸣2年余”的2岁10月龄患儿就诊。患儿有反复呼吸道感染、活动不耐受，查体见杵状指，鼻窦CT示鼻窦炎。患儿婴儿期有可疑脂肪泻，血脂示甘油三酯、低密度脂蛋白
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::126bd78431883880a91392341d22b6b0
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36207861
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36207861
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 89-95 (2021)
The ESD effects on the E-mode AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) with p-GaN gate are investigated under repetitive TLP pulses. Firstly, the degradation and recovery of output, transfer characteristics, gate-leakage characteristics a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fd8ce8534a4f36ae319f3c1e7c7dd8b7
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.3040445
https://doi.org/10.1109/jeds.2020.3040445