Zobrazeno 1 - 10
of 2 932 496
pro vyhledávání: '"S Y An"'
Autor:
Xhameni, Aferdita, AlMutairi, AbdulAziz, Guo, Xuyun, Chircă, Irina, Wen, Tianyi, Hofmann, Stephan, Nicolosi, Valeria, Lombardo, Antonio
We demonstrate low energy, forming and compliance-free operation of a resistive memory obtained by the partial oxidation of a two-dimensional layered van-der-Waals semiconductor: hafnium disulfide (HfS$_2$). Semiconductor - oxide heterostructures are
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.07466
Autor:
Li, Xiaojing1 (AUTHOR) lixiaojingre@163.com, Zhang, Yingbo1 (AUTHOR) zyb830327@163.com, Liu, Chenchen2 (AUTHOR) liuchenchen0801@163.com, Tang, Shuwei2 (AUTHOR) zyb830327@163.com
Publikováno v:
Molecules. Nov2024, Vol. 29 Issue 22, p5264. 13p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kahan, Emmanuel Nicolás1 emmanuel.kahan@gmail.com
Publikováno v:
Historia Crítica. jul-sep2024, Issue 93, p101-127. 27p.
Autor:
Lee, Su Youn
Publikováno v:
Journal of the Korean Physical Society; Dec2024, Vol. 85 Issue 12, p977-983, 7p
Autor:
Maqbool, Muhammad Nadeem1 (AUTHOR), Aftab, Faheem1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientifica. 5/22/2024, Vol. 2024, p1-10. 10p.
Autor:
Yudkoff, Sunny S.
Publikováno v:
Jewish Social Studies, 2019 Jul 01. 24(3), 1-25.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/10.2979/jewisocistud.24.3.01
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.