Zobrazeno 1 - 10
of 593
pro vyhledávání: '"S Schott"'
Autor:
M. Statz, D. Venkateshvaran, X. Jiao, S. Schott, C. R. McNeill, D. Emin, H. Sirringhaus, R. Di Pietro
Publikováno v:
Communications Physics, Vol 1, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
In order to develop the next generation of semiconductor devices it is important to better understand the fundamental physics of materials other than silicon. The authors develop a theoretical approach to describe the charge transport properties of p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/289a93a9eb64462ea235665d5b3ddd2b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Zeitschrift für Geburtshilfe und Neonatologie.
Autor:
I Alkatout, J. Baumann, J. Pape, N. Maass, F. Vogler, J. Pahls, Johannes Ackermann, S. Schott
Publikováno v:
Geburtshilfe und Frauenheilkunde.
Publikováno v:
Geburtshilfe und Frauenheilkunde.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.