Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Expression of cyclin-dependent kinase inhibitors (CDKN1, CDKN5) in developmentally competent and incompetent porcine oocytes

Autor: H. Piotrowska, B. Kempisty, D. Bukowska, P. Antosik, S. Ciesiolka, E. Ociepa, S. Porowski, I. Piescikowska, H. Maryniak, J.M. Jaskowski, K. P. Brüssow, M. Nowicki, M. Zabel

Publikováno v: Veterinární Medicína, Vol 58, Iss 9, Pp 477-483 (2013)

Although several reports have been published regarding the cyclin-dependent kinases (Cdks) in developmentally competent mammalian oocytes, still little is known about their expression pattern in developmentally incompetent female gametes. Since Cdks

Externí odkaz: https://doaj.org/article/50ce01e0f810427d8b3d40c276a78226

Zobrazit plný text záznamu

Physical properties of Ga-Fe-N system relevant for crystallization of GaN – Initial studies

Autor: I. A. Petrusha, Igor Dzięcielewski, Vladimir Z. Turkevich, B. Sadovyi, Andrii Nikolenko, S. Porowski, Petro Sadovyi, V. V. Strelchuk, B.I. Tsykaniuk, I. Grzegory

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 507:77-86

The available data indicate that solubility of nitrogen in the liquid transition metals at high temperatures attains very interesting, high values even for relatively low pressure of N2 gas. For instance, at pN2 = 10 MPa (app. 100 bar) and 1600 °C,

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f161580a1aeb538eb92543f3172666b4
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.035

Zobrazit plný text záznamu

Melting of tetrahedrally bonded semiconductors: 'anomaly' of the phase diagram of GaN?

Autor: S. Porowski, Sylwester J. Rzoska, I. Grzegory, Stanislaw Gierlotka, I. A. Petrusha, Ivan Karbovnyk, B. Sadovyi, Vladimir Z. Turkevich, D. A. Stratiichuk

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 505:5-9

In this paper we initiate further discussion on phase diagrams and structural transitions in tetrahedrally bonded semiconductors with particular emphasis on GaN. Comprehensive experimental data and the most important theoretical predictions are compr

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ce7c8fade5ba57c2142799b5970a275
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.09.007

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Diffusion of oxygen in bulk GaN crystals at high temperature and at high pressure

Autor: Andrii Nikolenko, O. Belyaev, Vladimir Z. Turkevich, V. B. Kapustianyk, В. Tsykaniuk, Igor Dzięcielewski, Izabella Grzegory, J.L. Weyher, S. Porowski, Martin Albrecht, Marcin Sarzyński, B. Sadovyi, I. A. Petrusha, V. V. Strelchuk

Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 449:35-42

Experimental studies of diffusion of oxygen in bulk wurtzite-type GaN crystals grown by Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE) are reported. Oxygen concentration profiles were studied in as-grown GaN crystals and also after annealing of crystals at temper

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::76423c0daa41aa46b9c2fa8723d7a617
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.05.037

Zobrazit plný text záznamu

Influence of crystallization front direction on the Mg-related impurity centers incorporation in bulk GaN:Mg grown by HNPS method

Autor: M. Panasyuk, V. P. Rudyk, M. Amilusik, Elzbieta Litwin-Staszewska, Izabella Grzegory, Ivan Karbovnyk, Michal Bockowski, M. Fijalkowski, B. Sadovyi, V. B. Kapustianyk, S. Porowski, V. Tsybulskyi

Publikováno v: Optical Materials. 58:491-496

We studied the incorporation of Mg-related impurity centers in GaN crystals depending on the direction of the crystallization front. Two series of GaN crystals – (i) undoped and (ii) Mg-doped – were grown by High Nitrogen Pressure Solution (HNPS)

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36102a9b59e5146ae831ebbe42b2a1e8
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2016.06.027

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání