Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"S Ootomo"'
Publikováno v:
Surface and Interface Analysis. 43:154-158
Fabricating mesa structures with photolithography in samples for analysis is a promising method for microarea analysis in SIMS depth profiling because undesired ions originating from the surroundings of the analysis area are eliminated. We investigat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00db3aa978e9cef8deddb3340a9dd86d
https://doi.org/10.1002/sia.3546
https://doi.org/10.1002/sia.3546
Publikováno v:
Applied Surface Science. 255:1373-1376
To improve the depth resolution in secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth analysis by reducing the crater-edge effect, samples with mesa-structure projections were prepared by photolithography. The depth profiles of boron implanted into silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d0e1f6eb89afbf3f940f23163ddef959
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.05.104
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.05.104
Publikováno v:
Applied Surface Science. 252:7275-7278
We have analyzed a multiple quantum well (MQW) structure in a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) epitaxial wafer using secondary ion mass spectrometry (SIMS). The two energy sputtering method is a very powerful method for providing a dept
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d3739d1aaac8982b8afee0eba2f41b53
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2006.02.261
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2006.02.261
Publikováno v:
Springer Proceedings in Physics ISBN: 9781402086144
This paper describes a method to map dopant distributions in compound semiconductors by off-axis electron holography. A cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) specimen with n+, n− and p gallium arsenide thin films was prepared using
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d2837904cdfbafa2b6bb99bafcc2a3d
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8615-1_85
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8615-1_85
Autor:
Takeyoshi Matsuda, H. Ishii, R. Nakasaki, T. Hirayama, S. Ootomo, F. Iwase, K. Yamamoto, Hirokazu Sasaki
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 89:244101
This letter presents a method to map dopant concentration in compound semiconductors by off-axis electron holography. Using the microsampling technique of a focused ion beam, the authors prepared a cross sectional test specimen with n+(3.0×1018cm−
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b447c8edd1ccdfcf71532db77e68e8aa
https://doi.org/10.1063/1.2402907
https://doi.org/10.1063/1.2402907
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.