Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S Millidge"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 10:344-347
Measurements of breakdown voltage in p-i-n diodes with thin i regions are compared with local and non-local theoretical calculations. It is found that overshoot effects compensate for the dead space at high fields close to breakdown but that non-loca
Publikováno v:
52nd Annual Device Research Conference.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 73:7966-7968
Gain and geometric magnetoresistance electron mobility measurements are presented for quantum‐well infrared photoconductors. The electron mobility is found to be identical for both the photocurrent and the dark current and has a value of 2.6×103 c
Publikováno v:
NATO ASI Series ISBN: 9781461364757
The use of semiconductor (AlGaAs/GaAs) quantum wells in long wavelength high detectivity (5 to 12 µm) infra-red photoconductive detectors was first demonstrated by Levine et al (1988) and subsequently extended by Levine and co-workers (Hasnain et al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af3f6336fc311078c70616fd94cacbad
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-3346-7_3
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-3346-7_3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.