Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"S Meziani"'
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 7, Iss 1, p 016426 (2020)
Laser-assisted diffusion of phosphorus dopants has been investigated to realize selective emitters on mc-Si wafers. In this paper, we studied, in the presence of PSG, the effect of laser speed and power doping parameters on the sheet resistance R _Sq
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a664480b52894b6bbd0daf6da3e44021
Autor:
S. Meziani, T. Kernane
Publikováno v:
Probability in the Engineering and Informational Sciences. 37:206-213
A retrial queue with classical retrial policy, where each blocked customer in the orbit retries for service, and general retrial times is modeled by a piecewise deterministic Markov process (PDMP). From the extended generator of the PDMP of the retri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1fb15dab569203c6e306bddb3d76721
https://doi.org/10.1017/s0269964821000541
https://doi.org/10.1017/s0269964821000541
Publikováno v:
Silicon.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::654e22564155654b8697bcef66445dbe
https://doi.org/10.1007/s12633-023-02336-3
https://doi.org/10.1007/s12633-023-02336-3
Publikováno v:
Journal of Manufacturing Processes. 69:33-46
This study aimed to prevent the harmful consequences of the turning process. The use of micro-textured cutting inserts with a femtosecond laser an innovative efficient method to decrease chip adhesion to cutting of edge tools during titanium alloy (T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8442ec39f87ecf19cf74d3801895205d
https://doi.org/10.1016/j.jmapro.2021.07.030
https://doi.org/10.1016/j.jmapro.2021.07.030
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Benmeddour, S. Meziani
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 12, Iss 4, Pp 575-584 (2009)
In this paper, the influence of various crystal heights to the crystal/melt interface shape and thermal stresses distribution in the large diameter (300 mm) of the silicon single crystal growth in a Czochralski process was studied numerically. A tow
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7be13655fb0e4e28bde8e2c025d363ca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.