Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"S Couet"'
Autor:
D P Lozano, M Mongillo, X Piao, S Couet, D Wan, Y Canvel, A M Vadiraj, Ts Ivanov, J Verjauw, R Acharya, J Van Damme, F A Mohiyaddin, J Jussot, P P Gowda, A Pacco, B Raes, J Van de Vondel, I P Radu, B Govoreanu, J Swerts, A Potočnik, K De Greve
Publikováno v:
Materials for Quantum Technology, Vol 4, Iss 2, p 025801 (2024)
The performance of state-of-the-art superconducting quantum devices is currently limited by microwave dielectric loss at different interfaces. α -tantalum is a superconductor that has proven effective in reducing dielectric loss and improving device
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f667fe9bc976494d925c93275af4b5ca
Autor:
Y. C. Wu, W. Kim, S. Couet, K. Garello, S. Rao, S. Van Beek, S. Kundu, S. Houshmand Sharifi, D. Crotti, J. Van Houdt, G. Groeseneken, G. S. Kar
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 10, Iss 3, Pp 035123-035123-5 (2020)
We study the characteristics of the precessional switching induced by voltage control of magnetic anisotropy (VCMA) in back-end-of-line (BEOL)-compatible perpendicular magnetic tunnel junction devices. Using micromagnetic simulation, we find three op
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd260e04e0e84387bef005299e24d09d
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 12, Pp 125236-125236-5 (2019)
Magnetic Random Access Memory (MRAM) targeting cache memory replacement consists of high density arrays of perpendicular Magnetic Tunnel Junctions (p-MTJs). One of the key advantages to MRAM is its non-volatility, where the measurement of retention i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a81300826e3a407392c64b747f514e67
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Cai, S. Van Beek, S. Rao, K. Fan, M. Gupta, V.D. Nguyen, G. Jayakumar, G. Talmelli, S. Couet, G.S. Kar
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af8f1ebd060b357418c2bdbdac037f3b
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830307
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830307
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Mongillo, A. Potocnik, J. Verjauw, F.A. Mohiyaddin, T. Ivanov, R Acharya, X. Piao, D.Perez Lozano, D. Wan, A. Pacco, J. Jussot, L. Souriau, A. M. Vadiraj, J. Swerts, S Couet, L. Goux, B. Govoreanu, P. Iuliana, null Radu
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c20cfbbb9c28f44c0297a18fd84af77
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
Autor:
E. Raymenants, D. Wan, S. Couet, Y. Canvel, A. Thiam, D. Tsvetanova, L. Souriau, I. Asselberghs, R. Carpenter, N. Jossart, M. Manfrini, A. Vaysset, O. Bultynck, S. Van Beek, M. Heyns, D.E. Nikonov, I.A. Young, S. Ghosh, L. Vila, K. Garello, S. Pizzini, V.D. Nguyen, I.P. Radu
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2021, San Francisco, United States. pp.32.3.1-32.3.4, ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720689⟩
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2021, San Francisco, United States. pp.32.3.1-32.3.4, ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720689⟩
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6514f3ee5a0a8a8fecbd4457301eaff6
https://hal.science/hal-03768245
https://hal.science/hal-03768245
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Carpenter, W. Kim, K. Sankaran, N. Ao, M. Ben Chroud, A. Kumar, A. Trovato, G. Pourtois, S. Couet, G. S. Kar
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), DEC 11-16, 2021, San Francisco, CA
For the first time in voltage control of magnetic anisotropy magnetic random-access memory (VCMA-MRAM), a large coefficient of >= 100 fJ/Vm has been demonstrated in fully integrated, BEOL compatible, magnetic tunnel junctions (MTJ). This was achieved
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3accaca52a2956a1e6b0f78f4c8fbb9a