Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"S Cavanagh"'
Autor:
Jonathan L. Partridge, Jessica A. Murdzek, Virginia L. Johnson, Andrew S. Cavanagh, Andreas Fischer, Thorsten Lill, Sandeep Sharma, Steven M. George
Publikováno v:
Chemistry of Materials. 35:2058-2068
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd1f3fdcac2187c1fba3a8c172248cc1
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c03616
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c03616
Autor:
Ann Lii-Rosales, Virginia L. Johnson, Andrew S. Cavanagh, Andreas Fischer, Thorsten Lill, Sandeep Sharma, Steven M. George
Publikováno v:
Chemistry of Materials. 34:8641-8653
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::025d85032f90d8bf00701a1bc6d2e78a
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c01603
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c01603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chemistry of Materials. 33:7719-7730
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec8d87dcde38394778c9ccba1b2e5118
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c01950
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c01950
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 124:287-299
The thermal atomic layer etching (ALE) of Al2O3 can be achieved using sequential fluorination and ligand-exchange reactions. Although previous investigations have characterized the etch rates and s...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4863abad0ba619152f72f60faeb16d67
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b06104
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b06104
The thermal atomic layer etching (ALE) of germanium-rich SiGe was demonstrated using an oxidation and "conversion-etch" mechanism with oxygen (O-2) or ozone (O-3), hydrofluoric acid (HF), and trimethylaluminum [TMA, Al(CH3)(3)] as the reactants. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dc7afec6473ca6c58e6999dc75cf2e3b
http://hdl.handle.net/10138/341853
http://hdl.handle.net/10138/341853
Electron-Enhanced Atomic Layer Deposition of Boron Nitride Thin Films at Room Temperature and 100 °C
Autor:
Jaclyn K, Sprenger, Huaxing, Sun, Andrew S, Cavanagh, Alexana, Roshko, Paul T, Blanchard, Steven M, George
Publikováno v:
J Phys Chem C Nanomater Interfaces
Electron-enhanced atomic layer deposition (EE-ALD) was used to deposit boron nitride (BN) thin films at room temperature and 100 °C using sequential exposures of borazine (B(3)N(3)H(6)) and electrons. Electron-stimulated desorption (ESD) of hydrogen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::2cc6281f056f163e90500bc8d24fd97b
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33101567
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33101567