Zobrazeno 1 - 10
of 406
pro vyhledávání: '"S Decoutere"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Millesimo, M. Borga, B. Bakeroot, N. Posthuma, S. Decoutere, E. Sangiorgi, C. Fiegna, A. N. Tallarico
In this letter, we present an extensive analysis on the role of both switching frequency (ranging from 100 kHz to 1 MHz) and duty cycle (from 10% to 90%) on the time-dependent gate breakdown of high electron mobility transistors (HEMTs) with Schottky
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::26f90387fb618fd6d64bad82ffd09aa0
https://hdl.handle.net/11585/899682
https://hdl.handle.net/11585/899682
TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs
Autor:
A. N. Tallarico, M. Millesimo, B. Bakeroot, M. Borga, N. Posthuma, S. Decoutere, E. Sangiorgi, C. Fiegna
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
TCAD modeling of the dynamic threshold voltage shift (hysteresis) occurring under fast sweeping characterization in Schottky-type p-GaN gate high-electron-mobility transistors (HEMTs) is reported, to the best of our knowledge, for the first time. Dyn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::36a1a792e82d9e0fe121565aee2fa6bf
https://hdl.handle.net/11585/844683
https://hdl.handle.net/11585/844683
Autor:
D. Favero, C. De Santi, K. Mukherjee, K. Geens, M. Borga, B. Bakeroot, S. You, S. Decoutere, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::867c442277c33c130e75833a3738b84b
http://hdl.handle.net/11577/3457434
http://hdl.handle.net/11577/3457434
Autor:
T. Cosnier, O. Syshchyk, B. De Jaeger, K. Geens, D. Cingu, Elena Fabris, M. Borga, A. Vohra, M. Zhao, B. Bakeroot, D. Wellekens, A. Magnani, P. Vudumula, U. Chatterjee, R. Langer, S. Decoutere
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd2a09b6f4cd6e5d86c2ba2df099eeda
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720591
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720591
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.