Výsledky vyhledávání - "Sˇermuksˇnis, E."

Akademický článek

Ultrafast decay of hot phonons in an AlGaN/AlN/AlGaN/GaN camelback channel.

Autor: Leach, J. H., Wu, M., Morkoç, H., Liberis, J., Sˇermuksˇnis, E., Ramonas, M., Matulionis, A.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2011, Vol. 110 Issue 10, p104504, 6p, 8 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Tuning Into Plasmon-LO-phonon Resonance: Gateless Two-dimensional Channels for Nitride HEMTs.

Autor: Sˇermuksˇnis, E., Liberis, J., Matulionis, A.

Publikováno v: AIP Conference Proceedings; 11/10/2010, Vol. 1288 Issue 1, p109-112, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Camelback channel for fast decay of LO phonons in GaN heterostructure field-effect transistor at high electron density.

Autor: Sˇermuksˇnis, E., Liberis, J., Ramonas, M., Matulionis, A., Leach, J. H., Wu, M., Avrutin, V., Morkoç, H.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 7/25/2011, Vol. 99 Issue 4, p043501, 3p, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Effect of hot phonon lifetime on electron velocity in InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors on bulk GaN substrates.

Autor: Leach, J. H., Zhu, C. Y., Wu, M., Ni, X., Li, X., Xie, J., Özgür, Ü., Morkoç, H., Liberis, J., Sˇermuksˇnis, E., Matulionis, A., Paskova, T., Preble, E., Evans, K. R.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/29/2010, Vol. 96 Issue 13, p133505, 3p, 3 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Degradation in InAlN/GaN-based heterostructure field effect transistors: Role of hot phonons.

Autor: Leach, J. H., Zhu, C. Y., Wu, M., Ni, X., Li, X., Xie, J., Özgür, Ü., Morkoç, H., Liberis, J., Sˇermuksˇnis, E., Matulionis, A., Cheng, H., Kurdak, Ç.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 11/30/2009, Vol. 95 Issue 22, p223504, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs

Zobrazit plný text záznamu