Zobrazeno 1 - 10
of 228
pro vyhledávání: '"Södervall U"'
Autor:
Kalem, S, Werner, P, Arthursson, Ö, Talalaev, V, Nilsson, B, Hagberg, M, Frederiksen, H, Södervall, U
Publikováno v:
Nanotechnology 22 (2011) 235307
Physical properties of black Silicon (b-Si) formed on Si wafers by reactive ion etching in chlorine plasma are reported in an attempt to clarify the formation mechanism and the origin of the observed optical and electrical phenomena which are promisi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.3011
Autor:
Mathieu, R., Sørensen, B. S., Sadowski, J., Södervall, U., Kanski, J., Svedlindh, P., Lindelof, P. E., Hrabovsky, D., Vanelle, E.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 68, 184421 (2003).
Kerr rotation and Superconducting QUantum Interference Device (SQUID) magnetometry measurements were performed on ultrathin (Ga$_{0.95}$Mn$_{0.05}$)As layers. The thinner layers (below 250 \AA) exhibit magnetic properties different than those of thic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0208411
Autor:
Kalem, S., Werner, P., Hagberg, M., Nilsson, B., Talalaev, V., Arthursson, Ö., Frederiksen, H., Södervall, U.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):2593-2596
Autor:
Velessiotis, D., Douvas, A.M., Athanasiou, S., Nilsson, B., Petersson, G., Södervall, U., Alestig, G., Argitis, P., Glezos, N.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):2775-2777
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2007 51(2):231-238
Publikováno v:
In Intermetallics 2006 14(3):308-314
Autor:
Paskova, T. *, Paskov, P.P., Goldys, E.M., Valcheva, E., Darakchieva, V., Södervall, U., Godlewski, M., Zielinski, M., Hautakangas, S., Saarinen, K., Carlström, C.F., Wahab, Q., Monemar, B.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2004 273(1):118-128
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 31 December 2003 340-342:367-370
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2002 246(3):207-214