Zobrazeno 1 - 10
of 1 372
pro vyhledávání: '"Sánchez M., J."'
Memristors are considered key building blocks for the development of neuromorphic computing hardware. For ferroelectric memristors with a capacitor-like structure, the polarization direction modulates the height of the Schottky barriers -- present at
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.10909
Autor:
Acevedo, W. Román, Aguirre, M. H., Ferreyra, C., Sánchez, M. J., Rengifo, M., Bosch, C. A. M. van den, Aguadero, A., Noheda, B., Rubi, D.
Publikováno v:
Final version published in APL Materials (Vol.10, Issue 1, 2022)
Memristive systems emerge as strong candidates for the implementation of Resistive Random Access Memories (RRAM) and neuromorphic computing devices, as they can mimic the electrical analog behavior or biological synapses. In addition, complementary f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.03507
Autor:
Rodríguez P., O., López C., J., Navarrerte, C. F., Segura, E., Anteliz, K., Sánchez M., J., Monroy, R.
Publikováno v:
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, Vol 50, Iss 3, Pp V-IX (2011)
In this paper, we present the results of the correlation study of the variables and parameters associated with the measurement of the apparent density (AD) for raw ceramic material used in the industrial manufacture of floor tiles, compared the mercu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3324079003c6495e91e44306e9a0e83e
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 14, 044045 (2020)
Ferroelectric memristors are intensively studied due to their potential implementation in data storage and processing devices. In this work we show that the memristive behavior of metal/ferroelectric oxide/metal devices relies on the competition of t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.10891
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ferreyra, C., Sánchez, M. J., Aguirre, M., Acha, C., Bengió, S., Lecourt, J., Lüders, U., Rubi, D.
Publikováno v:
final version Published in Nanotechnology vol 31 155204 (2020)
The development of novel devices for neuromorphic computing and non-traditional logic operations largely relies on the fabrication of well controlled memristive systems with functionalities beyond standard bipolar behavior and digital ON-OFF states.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.03056
Autor:
Acevedo, W. R., Bosch, C. A. M. van den, Aguirre, M. H., Acha, C., Cavallaro, A., Ferreyra, C., Sánchez, M. J., Patrone, L., Aguadero, A., Rubi, D.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 116, 063502 (2020)
The possibility to develop neuromorphic computing devices able to mimic the extraordinary data processing capabilities of biological systems spurs the research on memristive systems. Memristors with additional functionalities such as robust memcapaci
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.05711
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We report on the growth and characterization of Ti/$La_{1/3}$$Ca_{2/3}$Mn$O_3$/Si$O_x$/n-Si memristive devices. We demonstrate that using current as electrical stimulus unveils an intermediate resistance state, in addition to the usual high and low r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1611.01552