Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"Ryabtsev, S. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ryabtsev, S. V.1 (AUTHOR), Obvintseva, N. Yu.2 (AUTHOR), Ghareeb, D. A. A.1 (AUTHOR), Al-Habeeb, A. A. K.1 (AUTHOR), Shaposhnik, A. V.3 (AUTHOR), Turishchev, S. Yu.1 (AUTHOR), Domashevskaya, E. P.1 (AUTHOR) ftt@phys.vsu.ru
Publikováno v:
Inorganic Materials. May2023, Vol. 59 Issue 5, p487-493. 7p.
Autor:
null Domashevskaya E. P., null Shaposhnik A. V., null Obvintseva L. A., null Turishchev S.Yu., null Ghareeb D. A. A., null Ryabtsev S. V.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:2057
PdO films were obtained by thermal deposition of palladium metal with a thickness of 30 and 90 nm, followed by its oxidation in air at different temperatures. PdO oxide films are characterized by transmission electron microscopy (TEM) and reflection
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::190697042554688eb7206640d47ffa8f
https://doi.org/10.21883/sc.2022.13.53898.9684
https://doi.org/10.21883/sc.2022.13.53898.9684
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2001, Vol. 35 Issue 7, p835. 5p.
Autor:
Domashevskaya, E. P., Goloshchapov, D. L., Dambos, Al Khailani Hasan Ismail, Rudnev, E. V., Grechkina, M. V., Ryabtsev, S. V.
Publikováno v:
Semiconductors; Jul2019, Vol. 53 Issue 7, p923-929, 7p
Autor:
Kuschev, S. B., Ryabtsev, S. V., Soldatenko, S. A., Sinelnikov, A. A., Dontsov, A. I., Maksimenko, A. A., Turaeva, T. L.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Jan2019, Vol. 13 Issue 1, p87-91, 5p