Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Rul, N. I."'
Autor:
Bagraev, N. T., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Romanov, V. V., Klyachkin, L. E., Malyarenko, A. M., Rul', N. I.
Publikováno v:
Materials Physics and Mechanics. 2022;50(1): 66-73
The article presents the results of measurement and analysis of the field dependences of the static magnetic susceptibility of thin epitaxial silicon carbide films grown on the (110) surface of single-crystal silicon by the method of the coordinated
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.12971
Publikováno v:
Journal of Physics: Conf. Series 1236 (2019) 012033
We present the experimental data of the electric features of the silicon nanosandwichstructures obtained by silicon planar technology in the frameworks of the Hall geometry that represent the ultra-shallow silicon quantum well of 2 nm wide that are c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.14803
Autor:
Bagraev, N. T., Grigoryev, V. Yu., Klyachkin, L. E., Malyarenko, A. M., Mashkov, V. A., Romanov, V. V., Rul, N. I.
Publikováno v:
Low Temperature Physics 43 (2017) 132
The negative-U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The af
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.14798
Publikováno v:
Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Dec2022, Vol. 58 Issue 6, p602-607, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.