Zobrazeno 1 - 10
of 68
pro vyhledávání: '"Rukkumani, V."'
Autor:
Karthick, M.1 (AUTHOR) mrkarthickmani@gmail.com, Rukkumani, V.2 (AUTHOR) drvrukkumani@gmail.com
Publikováno v:
IETE Journal of Research. Jan2024, Vol. 70 Issue 1, p914-935. 22p.
Publikováno v:
In Microprocessors and Microsystems September 2020 77
Publikováno v:
IOP Conference Series: Earth & Environmental Science; 2024, Vol. 1375 Issue 1, p1-14, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
RUKKUMANI V., DEVARAJAN N.
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology, Vol 11, Iss 12, Pp 1722-1735 (2016)
Aggressive scaling of transistor dimensions with each technology generation has resulted an increased integration density and improved device performance at the expense of increased leakage current. The Supply voltage scaling is an effective way of r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b9d51960c75245f6a2b4036b9abe2973
Autor:
Singh, Ajith. B.1 ajith.b.singh@gmail.com, Rukkumani, V.2, Manju, P.1, Srinivasan, R.2, Jothi A., Anie Selva3
Publikováno v:
Journal of Engineering Science & Technology Review. 2020, Vol. 13 Issue 1, p171-192. 22p.
Publikováno v:
Journal of Ovonic Research. Jan/Feb2017, Vol. 13 Issue 1, p1-5. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Grenze International Journal of Engineering & Technology (GIJET); 2022, Vol. 8 Issue 1, p415-422, 8p