Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Rueger, N. R."'
1
Akademický článek
Using a quartz crystal microbalance for low energy ion beam etching studies.
Autor: Doemling, M. F., Lin, B., Rueger, N. R., Oehrlein, G. S., Haring, R. A., Lee, Y. H.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 2000, Vol. 18 Issue 1, p232-236, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Effect of capacitive coupling on inductively coupled fluorocarbon plasma processing.
Autor: Schaepkens, M., Rueger, N. R., Beulens, J. J., Li, X., Standaert, T. E. F. M., Matsuo, P. J., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 6, p3272-3280, 9p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Selective etching of SiO2 over polycrystalline silicon using CHF3 in an inductively coupled plasma reactor.
Autor: Rueger, N. R., Doemling, M. F., Schaepkens, M., Beulens, J. J., Standaert, T. E. F. M., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 5, p2492-2502, 11p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si mechanism.
Autor: Schaepkens, M., Standaert, T. E. F. M., Rueger, N. R., Sebel, P. G. M., Oehrlein, G. S., Cook, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1999, Vol. 17 Issue 1, p26-37, 12p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Photoresist erosion studied in an inductively coupled plasma reactor employing CHF3.
Autor: Doemling, M. F., Rueger, N. R., Oehrlein, G. S., Cook, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 4, p1998-2005, 8p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
High density fluorocarbon etching of silicon in an inductively coupled plasma: Mechanism of etching through a thick steady state fluorocarbon layer.
Autor: Standaert, T. E. F. M., Schaepkens, M., Rueger, N. R., Sebel, P. G. M., Oehrlein, G. S., Cook, J. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1998, Vol. 16 Issue 1, p239-249, 11p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Role of steady state fluorocarbon films in the etching of silicon dioxide using CHF3 in an inductively coupled plasma reactor.
Autor: Rueger, N. R., Beulens, J. J., Schaepkens, M., Doemling, M. F., Mirza, J. M., Standaert, T. E. F. M., Oehrlein, G. S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1997, Vol. 15 Issue 4, p1881-1889, 9p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Surface science issues in plasma etching.
Autor: Oehrlein, G. S., Doemling, M. F., Kastenmeier, B. E. E., Matsuo, P. J., Rueger, N. R., Schaepkens, M., Standaert, T. E. F. M.
Publikováno v: IBM Journal of Research & Development. Jan-Mar99, Vol. 43 Issue 1/2, p181. 17p. 6 Diagrams, 13 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje