Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Roy Colclaser"'
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fuller, Lynn, Pearson, Robert
Publikováno v:
2012 19th Biennial University/Government/Industry, Micro/Nano Symposium (UGIM); 1/ 1/2012, p1-2, 2p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1987, Vol. 34 Issue 2, pc4-c4, 1p
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 1987, Vol. 8 Issue 2, pc4-c4, 1p
Autor:
John D. Cressler
SiGe HBT BiCMOS technology is the obvious groundbreaker of the Si heterostructures application space. To date virtually every major player in the communications electronics market either has SiGe up and running in-house or is using someone else's SiG
Autor:
John D. Cressler
An extraordinary combination of material science, manufacturing processes, and innovative thinking spurred the development of SiGe heterojunction devices that offer a wide array of functions, unprecedented levels of performance, and low manufacturing