Zobrazeno 1 - 10
of 176
pro vyhledávání: '"Rowhammer"'
Autor:
Lois Orosa, Ulrich Ruhrmair, A. Giray Yaglikci, Haocong Luo, Ataberk Olgun, Patrick Jattke, Minesh Patel, Jeremie S. Kim, Kaveh Razavi, Onur Mutlu
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 80986-81003 (2024)
RowHammer is a DRAM vulnerability that can cause bit errors in a victim DRAM row solely by accessing its neighboring DRAM rows at a high-enough rate. Recent studies demonstrate that new DRAM devices are becoming increasingly vulnerable to RowHammer,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c3534af8fc7348539dfd4655eef132dd
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 82738-82743 (2023)
A novel memory cell transistor structure based on a saddle fin-based DRAM is presented for highly reliable operations. The overhang saddle fin (oss-fin) active structure is formed by two steps of etching of the fin; isotropic etching for the short si
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d39f570c9a44e11b7e04349ab94d9b7
Autor:
Dayeon Kim, Hyungdong Park, Inguk Yeo, Youn Kyu Lee, Youngmin Kim, Hyung-Min Lee, Kon-Woo Kwon
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 2, p 592 (2024)
This paper provides a comprehensive overview of the security vulnerability known as rowhammer in Dynamic Random-Access Memory (DRAM). While DRAM offers many desirable advantages, including low latency, high density, and cost-effectiveness, rowhammer
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0beecd66e4714cb5b510c03cd1495ace
Autor:
Hakan AYDIN, Ahmet SERTBAŞ
Publikováno v:
Applied Computer Science, Vol 18, Iss 2, Pp 86-100 (2022)
Increasing dependence on Information and Communication Technologies (ICT) and especially on the Internet in Industrial Control Systems (ICS) has made these systems the primary target of cyber-attacks. As ICS are extensively used in Critical Infrastru
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2167b53e64014e74b1a5e2e4deb76625
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chihiro Tomita, Makoto Takita, Kazuhide Fukushima, Yuto Nakano, Yoshiaki Shiraishi, Masakatu Morii
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 9, p 3586 (2022)
Concomitant with the increasing density of semiconductors, various attacks that threaten the integrity and security of dynamic random access memory (DRAM) have been devised. Among these, a side-channel attack called RAMBleed is a prolific one that ut
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/073fc9d866ab4c33a095dbd64b686cf6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.