Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"Row hammer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wenwei WANG, Peishun LIU
Publikováno v:
网络与信息安全学报, Vol 4, Pp 69-75 (2018)
The related technologies and defense methods of the current Row Hammer vulnerabilities were analyzed and summarized,and the security problems and possible precautions were pointed out.At the end,the current research work both at home and abroad is su
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5714a5afd7b44405a091e5f5b4cdcdf5
Autor:
WANG Wenwei, LIU Peishun
Publikováno v:
网络与信息安全学报, Vol 4, Iss 1, Pp 69-75 (2018)
The related technologies and defense methods of the current Row Hammer vulnerabilities were analyzed and summarized, and the security problems and possible precautions were pointed out. At the end, the current research work both at home and abroad is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7541c2e36202472b915eab200efb9a87
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACM Transactions on Architecture and Code Optimization. 18:1-26
In recent years, DRAM-based main memories have become susceptible to the Row Hammer (RH) problem, which causes bits to flip in a row without accessing them directly. Frequent activation of a row, called an aggressor row , causes its adjacent rows’
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c8a2b56511f8845e31dabb321849b82
https://doi.org/10.1145/3458749
https://doi.org/10.1145/3458749
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:1902-1905
In this article, a novel technique using the work-function (WF) engineering of passing word line (PWL) has been proposed to mitigate zero-failure in Saddle-Fin-Recessed-Channel-Access-Transistor (S-RCAT). The zero-failure caused by the hammered acces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba22f5164246024615971ffd95c928ad
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2975758
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2975758