Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Rovaris, Fabrizio"'
Autor:
Encinar, Luis Martín, Lanzoni, Daniele, Fantasia, Andrea, Rovaris, Fabrizio, Bergamaschini, Roberto, Montalenti, Francesco
A Deep Learning approach is devised to estimate the elastic energy density $\rho$ at the free surface of an undulated stressed film. About 190000 arbitrary surface profiles h(x) are randomly generated by Perlin noise and paired with the corresponding
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.03049
Autor:
Ge, Guojia, Rovaris, Fabrizio, Lanzoni, Daniele, Barbisan, Luca, Tang, Xiaobin, Miglio, Leo, Marzegalli, Anna, Scalise, Emilio, Montalenti, Francesco
Publikováno v:
In Acta Materialia 15 January 2024 263
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering A 27 June 2022 846
Autor:
Lanzoni, Daniele1 (AUTHOR), Rovaris, Fabrizio1,2 (AUTHOR) fabrizio.rovaris@ncbj.gov.pl, Montalenti, Francesco1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 3/8/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-11. 11p.
openaire: EC/H2020/857470/EU//NOMATEN Funding Information: We acknowledge support from the European Union Horizon 2020 research and innovation program under grant agreement no. 857470 and from the European Regional Development Fund via the Foundation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______661::5f8bdb7c92dbd609c37b8fb51a39c609
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/115701
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/115701
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lanzoni, Daniele1 (AUTHOR), Rovaris, Fabrizio1,2 (AUTHOR) fabrizio.rovaris@ncbj.gov.pl, Montalenti, Francesco1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 7/11/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-1. 1p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Becker, Lucas, Storck, Peter, Schulz, Tobias, Zoellner, Marvin H., Di Gaspare, Luciana, Rovaris, Fabrizio, Marzegalli, Anna, Montalenti, Francesco, Capellini, Giovanni, Schwalb, Georg, Schroeder, Thomas, Albrecht, Martin
Strain relaxedSi1−𝑥Ge𝑥 buffer layers on Si(001) can be used as virtual substrates for the growth of both strained Si and strained SiGe, which are suitable materials for sub-7 nm CMOS devices due to their enhanced carrier mobility. For indus
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::04eb900dc4fb197c6bad66398aa74273
https://zenodo.org/record/6241792
https://zenodo.org/record/6241792