Zobrazeno 1 - 10 of 109 pro vyhledávání: '"Rouzeyre, M."'
1
Akademický článek
Interface studies and electrical properties of plasma sulfide layers on n-type InP.
Autor: Klopfenstein, P., Bastide, G., Rouzeyre, M., Gendry, M., Durand, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1988, Vol. 63 Issue 1, p150, 9p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Deep level transient spectroscopy study in n-type InP.
Autor: Lim, H., Sagnes, G., Bastide, G., Rouzeyre, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1982, Vol. 53 Issue 4, p3317-3320, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Macroscopic analysis of electromagnetic waves coupling in CdS.
Autor: Laurenti, J. P., Rouzeyre, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1981, Vol. 52 Issue 11, p6484-6493, 10p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Deep level transient spectroscopy of electron traps and sensitizing centers in undoped CdS single crystals.
Autor: Hussein, M., Lleti, G., Sagnes, G., Bastide, G., Rouzeyre, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1981, Vol. 52 Issue 1, p261-268, 8p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
A study of the deep carrier traps in a Te-Se-Cd rectifying structure.
Autor: Housin, M., Bastide, G., Sagnes, G., Rouzeyre, M., Champness, C. H., El-Azab, M. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1980, Vol. 51 Issue 9, p4885-4888, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A study of the deep electron traps in semiconducting CdS.
Autor: Grill, C., Bastide, G., Sagnes, G., Rouzeyre, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1979, Vol. 50 Issue 3, p1375-1380, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Surface acoustic wave energy transfer in an air-gap-coupled Bi12GeO20-CdS system.
Autor: Cambon, G., Saïssy, A., Rouzeyre, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1976, Vol. 47 Issue 11, p4800-4803, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Preparation electrical properties and interface studies of plasma nitride layers on n-type InP.
Autor: Astito, A., Foucaran, A., Bastide, G., Rouzeyre, M., Leclercq, J. L., Durand, J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1991, Vol. 70 Issue 5, p2584, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Hight hydrostatic effects on the magneto-capacitance of a GaAlAs–GaAs, HJS
Autor: Lefort, M., Bastide, G., Foucaran, A., Rouzeyre, M.
Publikováno v: High Pressure Semiconductors Physics
High Pressure Semiconductors Physics, 1992, Kyoto, Japan
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5124f22a0043caf05d6bbf271a2892bd
https://hal.science/hal-01792430
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Acoustic Microscopy: Recent Applications in Semiconducting Devices.
Autor: Attal, J., Cambon, G., Rouzeyre, M.
Publikováno v: 1981 Ultrasonics Symposium; 1981, p557-560, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje