Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"Roux, JL"'
Publikováno v:
14th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Surgery of the Hand (IFSSH), 11th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Hand Therapy (IFSHT), 11th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Hand Therapy (IFSHT); 20190617-20190621; Berlin; DOCIFSSH19-1446 /20200206/
Objectives/Interrogation: Entrapment of the median nerve at the elbow has been reported in the literature to be rare and difficult to diagnose. The compression by the lacertus fibrosus (LF) has a predominant motor clinical expression differentiating
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b5ac55bb560e05fa10568441adb4c4d3
Publikováno v:
14th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Surgery of the Hand (IFSSH), 11th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Hand Therapy (IFSHT), 11th Triennial Congress of the International Federation of Societies for Hand Therapy (IFSHT); 20190617-20190621; Berlin; DOCIFSSH19-1186 /20200206/
Objectives/Interrogation: Endoscopic release of the median nerve according to Agee's original technique is limited to section of the flexor retinaculum without endocanalar exploration. We present a video of the modified Agee technique the purpose of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e24ad319fe1ec230527f8d07a0e34238
Autor:
Schaffauser, C., Vendier, O., Forestier, S., Michard, F., Geffroy, D., Drevon, C., Villemazet, JF., Cazaux, Jean-Louis, Delage, S. L., Roux, JL.
Publikováno v:
Schaffauser, C. ; Vendier, O. ; Forestier, S. ; Michard, F. ; Geffroy, D. ; Drevon, C. ; Villemazet, JF. ; Cazaux, Jean-Louis ; Delage, S. L. ; Roux, JL. (2005) Optimised thermal and microwave packaging for wide-band gap transistors : diamond & flip chip. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.
Wide-band gap (WBG) transistors give a real breakthrough for power devices compared to Silicon (Si) and Gallium Arsenide (GaAs) components. However, for space applications, the high power density of WBG transistors makes the thermal management critic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::01ab2e232ce32e5b8edf90da60290ee8
http://amsacta.unibo.it/1374/
http://amsacta.unibo.it/1374/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.