Zobrazeno 1 - 10 of 42 pro vyhledávání: '"Rougieux, F. E."'
1
Akademický článek
Grown-in defects limiting the bulk lifetime of p-type float-zone silicon wafers.
Autor: Grant, N. E., Rougieux, F. E., Macdonald, D., Bullock, J., Wan, Y.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 5, p055711-1-055711-8, 8p, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Impact of incomplete ionization of dopants on the electrical properties of compensated p-type silicon.
Autor: Forster, M., Cuevas, A., Fourmond, E., Rougieux, F. E., Lemiti, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb2012, Vol. 111 Issue 4, p043701, 7p, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Electron and hole mobility reduction and Hall factor in phosphorus-compensated p-type silicon.
Autor: Rougieux, F. E., Macdonald, D., Cuevas, A., Ruffell, S., Schmidt, J., Lim, B., Knights, A. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2010, Vol. 108 Issue 1, p013706, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje