Zobrazeno 1 - 10
of 124
pro vyhledávání: '"Rossato G"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Cerebral autoregulation (CA) is a complex mechanism stabilizing cerebral blood flow (CBF) against arterial pressure (AP) changes. CBF is commonly surrogated with the CBF velocity (CBFV) recorded via transcranial Doppler device from the middle cerebra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3658::32fb86122ca7d6bd5255e08dd5c633ad
http://hdl.handle.net/10447/435952
http://hdl.handle.net/10447/435952
Publikováno v:
ICECS
This work investigates the Mirror full adder circuit using a 7nm FinFET technology, considering the SET susceptibility and the robustness of all internal nodes of the circuit. This work aims to identify how this full adder topology behaves in a speci
Publikováno v:
MWSCAS
To mitigate variability effects, this work explores decoupling cells on different adder topologies using a 7nm FinFET technology. Process variability shows an impact of up to 20% on nominal voltage and superior to 50% at near-threshold operation. Aft
Autor:
Cleiton Magano Marques, Roberto B. Almeida, Paulo F. Butzen, Ricardo Reis, Fabio G. Rossato G. da Silva, Cristina Meinhardt
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. :196-202
The semiconductor industry is exploring technology scaling to pursuit the Moore's Law. The actual processors operation frequency grows the need for fast memories. Nowadays, SRAM cells occupy a considerable area in VLSI designs. Several challenges fol
Publikováno v:
ICECS
Near threshold operation reaches good results to energy critical applications. However, it introduces a considerable degradation on delay. Moreover, considering nano-effects, circuits operating at near-threshold are more sensitive to process variabil
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ICECS
This paper evaluates ten different XOR logic gates arrangements behavior at near-threshold operation under process, voltage, and temperature (PVT) variability effects. The experiments adopt the 7nm FinFET High Performance and Low Standby Power techno
Autor:
Rossato, G.1, Adami, A.2, Thijs, VN3, Cerini, R.4, Pozzi-Mucelli, R.4, Mazzucco, S.4, Anzola, GP5, Del Sette, M.6, Dinia, L.7, Meneghetti, G.8, Zanferrari, C.9
Publikováno v:
Cephalalgia. Jul2010, Vol. 30 Issue 7, p855-859. 5p.