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pro vyhledávání: '"Rosenkranz, Rüdiger"'
Autor:
Zschech, Ehrenfried, Löffler, Markus, Krüger, Peter, Gluch, Jürgen, Kutukova, Kristina, Zglobicka, Izabela, Silomon, Jendrik, Rosenkranz, Rüdiger, Standke, Yvonne, Topal, E.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::d919187128f480d2fee2d38247d11126
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/253962
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Autor:
Garitagoitia, Maria Aranzazu, Rosenkranz, Rüdiger, Löffler, M., Clausner, André, Standke, Yvonne, Zschech, Ehrenfried
A novel method to quantify and predict the material contrast using Backscattered Electron (BSE) imaging in Scanning Electron Microscopy (SEM) is presented while using low primary electron beam energies (Ep). In this study, the parameters for BSE imag
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https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/254183
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Autor:
Bauch, Jürgen, Rosenkranz, Rüdiger
Dieses Praktikerbuch bietet eine kompakte Übersicht zu 50 wichtigen werkstoffanalytischen Verfahren, die jeweils auf einer Doppelseite kurz und übersichtlich dargestellt werden. Diese Verfahren dienen der Ermittlung von Eigenschaften und Defekten i
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https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/298617
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Material contrast in scanning electron microscopy (SEM) is studied for several kinds of samples with an energy selective backscattered (EsB) electron detector using low voltage. The working conditions are optimized for every specimen and the contrast
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https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/242984
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Autor:
Liao, Zhongquan, Zhang, Tao, Gall, Martin, Dianat, Arezoo, Rosenkranz, Rüdiger, Jordan, Rainer, Cuniberti, Gianaurelio, Zschech, Ehrenfried
Raman mapping is performed to study the lateral damage in supported monolayer graphene carved by 30keV focused Ga+ beams. The evolution of the lateral damage is tracked based on the profiles of the intensity ratio between the D (1341cm-1) and G (1582
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https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240312
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Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Aubel, Oliver, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Niese, Sven, Standke, Yvonne, Rosenkranz, Rüdiger, Löffler, Markus, Vogel, Norman, Beyer, Armand, Engelmann, Hans Jürgen, Guttmann, Peter, Schneider, Gerhard, Zschech, Ehrenfried
The time dependent dielectric breakdown (TDDB) in copper/ultra-low-k on-chip interconnect stacks of integrated circuits has become one of the most critical reliability concerns in recent years. In this paper, a novel experimental in situ microscopy a
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https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/236159
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Publikováno v:
Advanced Engineering Materials; Feb2016, Vol. 18 Issue 2, p185-193, 9p
Autor:
Zhongquan Liao, Tao Zhang, Gall, Martin, Dianat, Arezoo, Rosenkranz, Rüdiger, Jordan, Rainer, Cuniberti, Gianaurelio, Zschech, Ehrenfried
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 7/6/2015, Vol. 107 Issue 1, p1-5, 5p, 1 Color Photograph, 2 Charts, 2 Graphs
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