Zobrazeno 1 - 10
of 373
pro vyhledávání: '"Rorsman, N."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khosa, R.Y., Chen, J.T., Pálsson, K., Karhu, R., Hassan, J., Rorsman, N., Sveinbjörnsson, E.Ö.
Publikováno v:
In Solid State Electronics March 2019 153:52-58
Autor:
Papamichail, A., Kakanakova-Georgieva, A., Sveinbjörnsson, E. Ö., Persson, A. R., Hult, B., Rorsman, N., Stanishev, V., Le, S. P., Persson, P. O. Å., Nawaz, M., Chen, J. T., Paskov, P. P., Darakchieva, V.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2022, Vol. 131 Issue 18, p1-10, 10p
Morphological and electrical comparison of Ti and Ta based ohmic contacts for AlGaN/GaN-on-SiC HFETs
Autor:
Pooth, A., Bergsten, J., Rorsman, N., Hirshy, H., Perks, R., Tasker, P., Martin, T., Webster, R.F., Cherns, D., Uren, M.J., Kuball, M.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability January 2017 68:2-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Carbon February 2015 82:12-23
Publikováno v:
In Carbon January 2015 81:96-104
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2008 52(5):632-636